FFS方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-250783
公開番号（公開出願番号）：特開2013-109347
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、FFS方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート配線とデータ配線113aとの交差地点に形成された薄膜トランジスタTと、薄膜トランジスタTを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTを露出する開口部を備えた有機絶縁膜117の上部に形成された大面積の共通電極123aと、開口部から薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cと、共通電極123a及び補助電極パターン123cを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cを露出するパッシベーション膜127の上部に形成され、露出した補助電極パターン123cを介して薄膜トランジスタTに電気的に接続され、共通電極123aとオーバーラップする複数の画素電極133aとを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の一面に一方向に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との交差地点に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを含む基板全面に形成され、前記薄膜トランジスタを露出する開口部を備えた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上部に形成された大面積の共通電極と、前記有機絶縁膜の上部に形成され、前記開口部から前記薄膜トランジスタに接続された補助電極パターンと、前記共通電極及び前記補助電極パターンを含む基板全面に形成され、前記薄膜トランジスタに接続された補助電極パターンを露出するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の上部に形成され、前記露出した補助電極パターンを介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記共通電極とオーバーラップする複数の画素電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。

IPC (1件)：

G02F 1/134

FI (1件)：

G02F1/1343

Fターム (17件)：

2H092GA14 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA24 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092NA07

引用特許：

審査官引用 (6件)

液晶表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-319298 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-154947 出願人：株式会社日立ディスプレイズ, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-095109 出願人：パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

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