パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065639
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197489
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】側壁転写プロセスを用いてラインアンドスペースパターンを形成する際に、側壁パターンの倒壊を防ぐことができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、まず、Y方向に延在するラインパターンがX方向に所定の間隔で配置される芯材パターン13Aを被加工膜11上に形成する。ついで、芯材パターン13Aを形成した被加工膜11上に、側壁膜15をコンフォーマルに形成する。その後、X方向に2本分以上のラインパターンを横切る長さを有するレジストパターン17を側壁膜15上に形成する。さらに、レジストパターン17に覆われていない領域で芯材パターン13Aが露出するまで側壁膜15をエッチバックし、側壁パターン15Aを形成する。その後、芯材パターン13Aを除去し、レジストパターン17を除去し、側壁パターン15Aをマスクとして被加工膜11を加工する。【選択図】図1-6

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在する第1ラインパターンが前記第1の方向に直交する第2の方向に所定の間隔で配置される芯材パターンを被加工膜上に形成する芯材パターン形成工程と、前記芯材パターンを形成した前記被加工膜上に、側壁膜をコンフォーマルに形成する側壁膜形成工程と、前記芯材パターンの上面が露出しない程度に前記側壁膜の全面エッチバックを行う側壁膜エッチバック工程と、前記芯材パターンが形成される領域上に前記第2の方向に延在する第2ラインパターンが、前記第2ラインパターンの幅よりも広いスペースを置いて前記第1の方向に配置されるレジストパターンを前記側壁膜上に形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンに覆われていない領域で前記芯材パターンが露出するまで前記側壁膜をエッチバックし、側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と、前記芯材パターンを除去する芯材パターン除去工程と、前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、前記側壁パターンをマスクとして前記被加工膜を加工する加工工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (11件)：

H01L 21/306 , H01L 21/768 , H01L 21/321 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (6件)：

H01L21/302 105A , H01L21/88 C , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L21/28 E , H01L29/58 G

Fターム (39件)：

4M104AA01 , 4M104DD04 , 4M104DD71 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F004AA04 , 5F004EA03 , 5F004EA13 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ26 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ31 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT06 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083PR01 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR10 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F101BH15

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