半導体装置の作製方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185122
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016826
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、他の基体に転写して分断を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微細なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため移動時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。【解決手段】本発明は、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴(または溝)およびデバイス部に重ならない領域にパターン形状を有する材料体を設けた後、ハロゲン化フッ素を含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に剥離層を形成し、前記剥離層の上方に、第1の領域と第2の領域とを有する層を形成し、前記第1の領域に前記剥離層に達する第1の開口部と、前記第2の領域に前記剥離層に達する第2の開口部と、を形成し、前記第1の領域と前記第2の領域の間の領域の上方に、材料体を形成し、前記第1の開口部及び前記第2の開口部にエッチング剤を導入することによって、前記材料体と重なる前記剥離層の一部を残存させつつ前記剥離層の他の一部を除去し、前記基板から前記第1の領域及び前記第2の領域を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G06K 19/077

FI (3件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 627D , G06K19/00 K

Fターム (29件)：

5B035AA04 , 5B035BA00 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ16

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