特許

J-GLOBAL ID：201303022714622139

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 栗原 正典 ,  東川 誠
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (5件)： 野河 信太郎 ,  甲斐 伸二 ,  金子 裕輔 ,  稲本 潔 ,  冨田 雅己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-003325
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143287
出願日： 2012年01月11日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：

【課題】電極表面の電界分布の平均化を図ること。【解決手段】平行に対向する第1および第2電極からなる電極対を有する少なくとも1つの放電部を反応室内に備え、高周波発生器をスイッチング回路を介して前記放電部に接続し、前記放電部では第1電極が異なる位置に第1および第2給電点を有し第2電極が接地され、前記スイッチング回路は前記高周波発生器の出力を、第1および第2給電点に周期的に交互に接続することを特徴とするプラズマ処理装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平行に対向する第1および第2電極からなる電極対を有する少なくとも1つの放電部を反応室内に備え、高周波発生器をスイッチング回路を介して前記放電部に接続し、前記放電部では第1電極が異なる位置に第1および第2給電点を有し第2電極が接地され、前記スイッチング回路は前記高周波発生器の出力を、第1および第2給電点に周期的に交互に接続することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/515

FI (4件)：

H05H1/46 M ,  H05H1/46 R ,  H01L21/205 ,  C23C16/515

Fターム (11件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19