特許
J-GLOBAL ID:201303023104590789

銀イオン拡散抑制層形成用組成物、銀イオン拡散抑制層用フィルム、配線基板、電子機器、導電膜積層体、およびタッチパネル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-167157
公開番号(公開出願番号):特開2013-224397
出願日: 2012年07月27日
公開日(公表日): 2013年10月31日
要約:
【課題】本発明は、銀または銀合金を含む金属配線間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線間の絶縁信頼性を向上させることができる銀イオン拡散抑制層を形成することができる銀イオン拡散抑制層形成用組成物を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁樹脂、並びに、トリアゾール構造、チアジアゾール構造およびベンズイミダゾール構造からなる群から選ばれる構造と、メルカプト基と、ヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基を一つ以上とを有し、炭化水素基中の炭素原子の合計数(なお、複数の炭化水素基がある場合、各炭化水素基中の炭素原子の数の合計)が5以上である化合物、を含有する銀イオン拡散抑制層形成用組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
絶縁樹脂、並びに、 トリアゾール構造、チアジアゾール構造およびベンズイミダゾール構造からなる群から選ばれる構造と、メルカプト基と、ヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基を一つ以上とを有し、前記炭化水素基中の炭素原子の合計数(なお、複数の前記炭化水素基がある場合、各炭化水素基中の炭素原子の数の合計数)が5以上である化合物、を含有する銀イオン拡散抑制層形成用組成物。
IPC (8件):
C08L 101/00 ,  H01B 5/14 ,  C08K 5/46 ,  C08K 5/37 ,  B32B 27/00 ,  B32B 15/08 ,  H05K 3/28 ,  G06F 3/041
FI (11件):
C08L101/00 ,  H01B5/14 A ,  H01B5/14 B ,  C08K5/46 ,  C08K5/37 ,  B32B27/00 Z ,  B32B15/08 J ,  H05K3/28 C ,  H05K3/28 F ,  G06F3/041 350C ,  G06F3/041 330A
Fターム (57件):
4F100AB01B ,  4F100AB17B ,  4F100AD00A ,  4F100AG00A ,  4F100AH04C ,  4F100AH07C ,  4F100AK01A ,  4F100AK01C ,  4F100AK53A ,  4F100AL05C ,  4F100AR00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA32B ,  4F100GB43 ,  4F100JD01C ,  4F100JG04A ,  4J002AA011 ,  4J002AA021 ,  4J002BG051 ,  4J002CC031 ,  4J002CC181 ,  4J002CD001 ,  4J002CD201 ,  4J002CF211 ,  4J002CK021 ,  4J002CM021 ,  4J002CM041 ,  4J002CM051 ,  4J002CP031 ,  4J002EV026 ,  4J002EV316 ,  4J002FD010 ,  4J002GQ00 ,  5B068AA04 ,  5B068AA32 ,  5B068BB09 ,  5B068BC13 ,  5B087AA04 ,  5B087CC13 ,  5B087CC14 ,  5B087CC16 ,  5B087CC39 ,  5E314AA24 ,  5E314AA41 ,  5E314AA49 ,  5E314BB01 ,  5E314CC15 ,  5E314FF14 ,  5E314GG05 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10
引用特許:
審査官引用 (1件)

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