特許

J-GLOBAL ID：201303023150221119

磁気応答型弾性装置

発明者： 法上 司 ,  山本 憲 ,  三俣 哲
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 板谷 康夫 ,  田口 勝美 ,  水田 愼一 ,  板谷 真之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011068261
公開番号（公開出願番号）：WO2012-026332
出願日： 2011年08月10日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

磁気応答型弾性装置において、簡単な構成により、弾性率変化を容易に制御可能とすると共にソフトマテリアル設計の自由度を向上させる。弾性材料に磁性粒子を分散させてなる磁性弾性体(2)と、磁性弾性体(2)に磁性弾性体(2)の外部から磁場を印加して磁性弾性体(2)の弾性率を変化させる磁場発生部(3)とを備える。磁性弾性体(2)は、磁場発生部(3)によって印加される磁場(B)の強さに応じて変化した弾性率のもとで外部からの負荷(F)を受ける。磁性弾性体(2)の外部から磁場(B)を印加して磁性弾性体(2)の弾性率を変化させるので、磁性弾性体(2)と磁場発生部(3)を分離して個別に設計でき、磁性弾性体(2)と磁場発生部(3)が一体のものと比べて設計効率が向上する。磁場発生部(3)が磁性弾性体(2)から分離されているので、磁性弾性体の形状や構成に制約されずに、磁場発生部(3)の制御、従って弾性率変化の制御が容易となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁場によって磁性弾性体の弾性率を変化させる磁気応答型弾性装置において、 弾性材料に磁性粒子を分散させてなる磁性弾性体と、 前記磁性弾性体に当該磁性弾性体の外部から磁場を印加して当該磁性弾性体の弾性率を変化させる磁場発生部と、を備えることを特徴とする磁気応答型弾性装置。

IPC (2件)：

A61H 7/00 ,  A61G 7/05

FI (3件)：

A61H7/00 320Z ,  A61G7/04 ,  A61H7/00 323S

Fターム (12件)：

4C040AA01 ,  4C040CC10 ,  4C040EE01 ,  4C040EE08 ,  4C100AD40 ,  4C100BB06 ,  4C100BB07 ,  4C100CA06 ,  4C100CA13 ,  4C100CA15 ,  4C100DA05 ,  4C100DA10