特許
J-GLOBAL ID：201303023191804900
電磁場解析および波動光学計算プログラムならびにそれらを用いた装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104301
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232128
出願日： 2012年05月01日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】電荷保存則が成り立たない場合でも、半導体内外の電磁場計算と半導体内の電気特性計算を矛盾無く統合して行う。【解決手段】 電位の時間微分を光速の2乗で割った値にベクトルポテンシャルの divergence を加えた値に等しいスカラー量を定義したときに、電流密度ベクトルは磁場ベクトルの rotation から電場ベクトルの時間微分に誘電率を掛けたものを差し引いた値から該スカラー量の gradient を透磁率で割った値を差し引いたものに等しく、電荷密度は電場ベクトルの divergence に誘電率を掛けた値と該スカラー量の時間微分に誘電率を掛けた値の和に等しく、電荷の生成消滅レートは該スカラー量の時間に関する2階偏微分を光速の2乗で割った値からラプラシアンを差し引いた値を透磁率で割った値に等しいという関係を基本モデルとする電磁場解析または波動光学計算プログラムを作成することにより、実現できる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
電位の時間微分を光速の2乗で割った値にベクトルポテンシャルの divergence を加えた値に等しいスカラー量を定義したときに、電流密度ベクトルは磁場ベクトルの rotation から電場ベクトルの時間微分に誘電率を掛けたものを差し引いた値から該スカラー量の gradient を透磁率で割った値を差し引いたものに等しく、電荷密度は電場ベクトルの divergence に誘電率を掛けた値と該スカラー量の時間微分に誘電率を掛けた値の和に等しく、電荷の生成消滅レートは該スカラー量の時間に関する2階偏微分を光速の2乗で割った値からラプラシアンを差し引いた値を透磁率で割った値に等しいという関係を基本モデルとすることを特徴とする電磁場または波動光学計算プログラムおよび該プログラムを用いた装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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