半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高橋敬四郎 , 鵜飼伸一 , 足立能啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-021142
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161883
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】光反射率を低下させず、窒化物半導体層と光反射電極層との密着性を改善する。【解決手段】半導体発光素子は、第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2半導体層とを含む半導体積層と、前記第2半導体層の一部上に断続的に形成される第1透明導電膜と、前記第2半導体層の前記第1透明導電膜が形成されなかった部分に断続的に形成される第1反射電極膜とを含む第1透明反射電極層と、前記第1透明反射電極層の一部上に、前記第1透明導電膜と一部が重なるように、断続的に形成される第2透明導電膜と、前記第1透明反射電極層の前記第2透明導電膜が形成されなかった部分に、前記第1反射電極膜と一部が重なるように、断続的に形成される第2反射電極膜とを含む第2透明反射電極層と、前記第1半導体層に接して形成される配線電極とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2半導体層とを含む半導体積層と、前記第2半導体層の一部上に断続的に形成される第1透明導電膜と、前記第2半導体層の前記第1透明導電膜が形成されなかった部分に断続的に形成される第1反射電極膜とを含む第1透明反射電極層と、前記第1透明反射電極層の一部上に、前記第1透明導電膜と一部が重なるように、断続的に形成される第2透明導電膜と、前記第1透明反射電極層の前記第2透明導電膜が形成されなかった部分に、前記第1反射電極膜と一部が重なるように、断続的に形成される第2反射電極膜とを含む第2透明反射電極層と、前記第1半導体層に接して形成される配線電極とを有する半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/38

FI (1件)：

H01L33/00 210

Fターム (20件)：

5F041AA31 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA86 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F141AA31 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA74 , 5F141CA76 , 5F141CA77 , 5F141CA86 , 5F141CA88 , 5F141CA92 , 5F141CA93

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