特許
J-GLOBAL ID：201303023446279813
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
筒井 大和
, 菅田 篤志
, 筒井 章子
, 坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-266644
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120767
出願日： 2011年12月06日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ウエハ(半導体ウエハ)10のスクライブ領域10dに、化学反応処理(エッチング処理)により表面3a側から溝10eを形成する。また、溝10eを形成した後、表面3aの反対側に位置する裏面10bを研削することで、スクライブ領域10dの間に配置される複数のチップ領域10cをそれぞれ分離する。ここで、スクライブ領域10dの表面3aには金属パターン3fが形成され、溝10eを形成する工程では、金属パターン3fは除去されずに残る。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:
(a)表面、前記表面に形成された複数のチップ領域、前記複数のチップ領域のうちの互いに隣り合うチップ領域間に形成されたスクライブ領域、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体ウエハを準備する工程;
(b)前記(a)工程の後、前記複数のチップ領域のそれぞれを覆い、かつ、前記スクライブ領域が露出するように、前記半導体ウエハの前記表面上にレジスト膜を形成する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記スクライブ領域を、前記レジスト膜をマスクとした化学反応処理によって除去する工程;
(d)前記(c)工程の後、前記レジスト膜を除去し、接着剤を介してウエハ支持部材を前記半導体ウエハの前記表面に貼り付ける工程;
(e)前記(d)工程の後、前記半導体ウエハの前記裏面を研削することで、前記複数のチップ領域を互いに分離する工程、
ここで、前記スクライブ領域の前記表面には金属パターンが形成され、前記(b)工程では前記金属パターンを覆うように前記レジスト膜を形成する。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L21/78 Q
, H01L21/78 S
, H01L21/304 631
5F057AA12
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057CA25
, 5F057DA11
, 5F057DA28
, 5F057DA29
