特許
J-GLOBAL ID:201303023603058516
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
廣瀬 一
, 田中 秀▲てつ▼
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-213412
公開番号(公開出願番号):特開2013-042517
出願日: 2012年09月27日
公開日(公表日): 2013年02月28日
要約:
【課題】フォトカプラの一次側に流れる電流を制限するため抵抗を回路基板上に実装することなく、フォトカプラの一次側に流れる電流を制限できるようにする。【解決手段】制御IC11a〜11cには、フォトカプラ21a〜21cの一次側に流れる電流を制限する抵抗17a〜17cをそれぞれ内蔵し、トランジスタ16a〜16cがそれぞれ導通した時に流れる電流を抵抗17a〜17cをそれぞれ介して発光素子22a〜22cに導くことにより、フォトカプラ21a〜21cの一次側に流れる電流を制限する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
センサからの信号に基づいてパワーモジュールの異常または動作状態を判定する判定回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記判定回路から出力される電流を制限する抵抗と、
前記抵抗に接続された第1の外部端子と、
前記判定回路からの直接出力または前記抵抗からの出力のいずれか一方を選択して外部に出力する接続選択回路を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H03K 17/00
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H03K 17/687
FI (3件):
H03K17/00 B
, H01L25/04 Z
, H03K17/687 Z
Fターム (8件):
5J055AX37
, 5J055BX16
, 5J055DX09
, 5J055EY01
, 5J055EY28
, 5J055EZ10
, 5J055FX19
, 5J055GX02
引用特許:
審査官引用 (3件)
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パワーエレクトロニクス機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-073164
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
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特開平2-276307
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特開平2-276307
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