特許

J-GLOBAL ID：201303023668348970

検出回路、センサーデバイス及び電子機器

発明者： 山村 光宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-009693
公開番号（公開出願番号）：特開2013-148488
出願日： 2012年01月20日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】素子特性バラツキを原因とする出力電圧のバラツキを低減できる検出回路、センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。【解決手段】検出回路は、焦電素子10と、検出回路の出力ノードNQと低電位電源ノードとの間に設けられ、焦電素子10からの検出信号がゲートに入力される第1のP型トランジスターTP1と、高電位電源ノードと出力ノードNQとの間に設けられ、ゲートが基準電圧VRに設定される第2のP型トランジスターTP2を含む。高電位電源ノードの電圧をVccとし、低電位電源ノードの電圧をGNDとしたとき、基準電圧はVcc/2に設定される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

焦電素子と、 検出回路の出力ノードと低電位電源ノードとの間に設けられ、前記焦電素子からの検出信号がゲートに入力される第1のP型トランジスターと、 高電位電源ノードと前記出力ノードとの間に設けられ、ゲートが基準電圧に設定される第2のP型トランジスターと、 を有し、 前記高電位電源ノードの電圧をVccとし、前記低電位電源ノードの電圧をGNDとしたとき、前記基準電圧はVcc/2に設定されることを特徴とする検出回路。

IPC (7件)：

G01J 1/42 ,  G01J 1/44 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/34 ,  G01J 5/48 ,  H01L 27/144 ,  H01L 27/146

FI (8件)：

G01J1/42 B ,  G01J1/44 Z ,  G01J1/02 Y ,  G01J1/02 Q ,  G01J5/34 A ,  G01J5/48 A ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 A

Fターム (29件)：

2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065AB03 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BC11 ,  2G065BC33 ,  2G065BC35 ,  2G065BE08 ,  2G065DA10 ,  2G065DA18 ,  2G066AC13 ,  2G066BA04 ,  2G066BC07 ,  2G066BC15 ,  2G066BC21 ,  2G066CA02 ,  2G066CA08 ,  2G066CA20 ,  2G066CB03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA16 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  4M118GD03