特許
J-GLOBAL ID：201303023825817644
双方向スイッチのシミュレーション方法、双方向スイッチのシミュレーション装置、及びプログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-551425
特許番号：特許第5261621号
出願日： 2012年06月20日
要約：
【要約】 ダブルゲート構造の単独素子により構成される双方向スイッチの電気的特性のシミュレーション方法を提供する。
JFET(351)のドレイン電極(471)と、JFET(352)のドレイン電極(472)とが抵抗(36)を介して接続された、対称構造の等価回路(1000)を使用してシミュレーションを行う。
請求項（抜粋）：
【請求項1】シミュレーション装置が行う、等価回路を用いた双方向スイッチのシミュレーション方法であって、
前記等価回路は、
第1のソース電極、第2のソース電極、第1のゲート電極、及び第2のゲート電極を備え、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極に印加される電圧により、前記第1のソース電極と前記第2のソース電極との間に流れる電流を制御する、単一の素子で構成された双方向スイッチを表す双方向スイッチの等価回路であって、
第1のゲート、第1の電極、及び第2の電極を有する第1の電界効果トランジスタと、
一端が前記第1の電極と電気的に接続され、他端が前記第1のソース電極に対応する電極である第1の入出力電極と電気的に接続されている、直列接続された第1の抵抗及び第1のインダクタンスと、
一端が前記第1のゲートと電気的に接続され、他端が前記第1のゲート電極に対応する電極である第1の制御電極と電気的に接続されている第3の抵抗と、
一端が前記第1の入出力電極と電気的に接続され、他端が前記第1の制御電極と電気的に接続されている第1のキャパシタンスと、
第2のゲート、第3の電極、及び第4の電極を有する第2の電界効果トランジスタと、
一端が前記第3の電極と電気的に接続され、他端が前記第2のソース電極に対応する電極である第2の入出力電極と電気的に接続されている、直列接続された第2の抵抗及び第2のインダクタンスと、
一端が前記第2のゲートと電気的に接続され、他端が前記第2のゲート電極に対応する電極である第2の制御電極と電気的に接続されている第4の抵抗と、
一端が前記第2の入出力電極と電気的に接続され、他端が前記第2の制御電極と電気的に接続されている第2のキャパシタンスと、
一端が前記第1の制御電極と電気的に接続され、他端が前記第2の制御電極と電気的に接続されている第3のキャパシタンスと、
一端が前記第1の入出力電極と電気的に接続され、他端が前記第2の入出力電極と電気的に接続されている第4のキャパシタンスと、
一端が前記第2の電極と電気的に接続され、他端が前記第4の電極と電気的に接続されている第5の抵抗とを備え、
前記シミュレーション装置の入力部が、前記第1の制御電極、前記第2の制御電極、前記第1の入出力電極、及び前記第2の入出力電極に印加される電圧の電圧値の入力を受け付ける入力ステップと、
前記シミュレーション装置の計算部が、前記等価回路及び前記電圧値に基づいて前記双方向スイッチの電気的特性を計算する計算ステップとを含む
双方向スイッチのシミュレーション方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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