特許

J-GLOBAL ID：201303023905495508

半導体装置

発明者： 川嶋 秀和
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104578
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232267
出願日： 2012年05月01日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】回路規模の増大を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、直列接続され、電気的に切断可能な電気ヒューズF1,F2と、電気ヒューズF1,F2が切断対象として選択された場合に、電気ヒューズF1,F2のそれぞれに個別に電流を流して切断する切断回路11と、電気ヒューズF1,F2の切断状態に基づいて、制御対象を制御するための切替信号を生成する読出回路12と、を備えた半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直列接続され、電気的に切断可能な複数の電気ヒューズと、 前記複数の電気ヒューズが切断対象として選択された場合に、当該複数の電気ヒューズのそれぞれに個別に電流を流して切断する切断回路と、 前記複数の電気ヒューズの切断状態に基づいて、制御対象を制御するための制御信号を生成する制御信号生成回路と、を備えた半導体装置。

IPC (1件)：

G11C 29/00

FI (2件)：

G11C29/00 603K ,  G11C29/00 603L

Fターム (3件)：

5L106AA08 ,  5L106CC08 ,  5L106CC13