特許

J-GLOBAL ID：201303024177343727

半導体装置

発明者： 小林 直義
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-071522
公開番号（公開出願番号）：特開2013-206944
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】特性を変更できる縦型トランジスタを含む半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、シリコン基板上に第1の方向に沿って連続的かつ交互に配列されたシリコンピラー及び絶縁体ピラーと、シリコンピラーの側面にそれぞれ形成されたゲート絶縁膜と、絶縁体ピラーの側面及びゲート絶縁膜の表面を含む一対の壁面にそれぞれ形成された一対のゲート電極と、シリコンピラーの上端部に形成された第1の拡散層と、シリコンピラーの下端部からシリコン基板にかけて形成された第2の拡散層と、シリコンピラー、絶縁体ピラー、ゲート絶縁膜、及び一対のゲート電極を埋め込むようにシリコン基板上に形成された層間絶縁膜と、シリコンピラーから離れた位置で層間絶縁膜を貫いて一対のゲート電極にそれぞれ達する一対の第1のコンタクトプラグと、を含む。【選択図】図1(a)

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面から突出するように形成され、前記シリコン基板の表面に平行な第1の方向に沿って連続的かつ交互に配列された少なくとも一つのシリコンピラー及び少なくとも一つの絶縁体ピラーと、 前記少なくとも一つのシリコンピラーの前記第1の方向に沿った側面にそれぞれ形成された複数のゲート絶縁膜と、 前記少なくとも一つの絶縁体ピラーの前記第1の方向に沿った側面及び前記ゲート絶縁膜の表面を含む一対の壁面にそれぞれ形成された一対のゲート電極と、 前記少なくとも一つのシリコンピラーの上端部に形成された少なくとも一つの第1の拡散層と、 前記少なくとも一つのシリコンピラーの下端部から前記シリコン基板にかけて形成された少なくとも一つの第2の拡散層と、 前記少なくとも一つのシリコンピラー、前記少なくとも一つの絶縁体ピラー、前記ゲート絶縁膜、及び前記一対のゲート電極を埋め込むように前記シリコン基板上に形成された層間絶縁膜と、 前記少なくとも一つのシリコンピラーのいずれからも離れた位置で前記層間絶縁膜を貫いて前記一対のゲート電極にそれぞれ達する一対の第1のコンタクトプラグと、 を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L29/78 301X ,  H01L27/10 671A ,  H01L29/44 L

Fターム (47件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD50 ,  4M104FF04 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F083AD03 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BC15 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF47 ,  5F140BF60 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BH06 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK30 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC01 ,  5F140CE07