特許
J-GLOBAL ID:201303024344286323

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-093361
公開番号(公開出願番号):特開2013-222815
出願日: 2012年04月16日
公開日(公表日): 2013年10月28日
要約:
【課題】半導体集積回路装置の信頼性向上を図る。【解決手段】半導体集積回路装置は、異常電圧に対して内部回路を保護するための複数の単位保護回路を有し、各単位保護回路は個別にオン/オフの制御が出来る様にされ、外部端子と半導体チップとの接続を確認するための試験の際に、単位保護回路のオン・オフ制御される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1端子と、 第1の電圧が供給されるべき第2端子と、 第2の電圧が供給されるべき第3端子と、 上記第1端子に結合された第1内部回路と、 上記第1端子と上記第2端子との間に接続され、上記第1端子に第1の電圧が供給されたとき順方向特性を示す第1ダイオード素子と含む第2内部回路と、 上記第1端子と上記第3端子との結合され、上記第1端子に上記第1の電圧とは異なる極性の第2の電圧が供給されたとき順方向特性を示す第2ダイオード素子及び第3ダイオード素子と、上記第1端子と上記第3端子との間で上記第2ダイオード素子と直列に接続された第1スイッチ素子と、上記第1端子と上記第3端子との間で上記第3ダイオード素子と直列に接続された第2スイッチ素子と を有する半導体チップと、 上記半導体チップの第1端子に結合されるべき外部端子を有し、上記半導体チップを封じするパッケージと を具備する半導体集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (2件):
H01L27/04 T ,  H01L27/04 H
Fターム (9件):
5F038BE07 ,  5F038BH04 ,  5F038BH13 ,  5F038CD02 ,  5F038CD16 ,  5F038DT02 ,  5F038DT04 ,  5F038DT20 ,  5F038EZ20

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