特許

J-GLOBAL ID：201303024370060449

光学半導体装置用基板及びその製造方法、並びに光学半導体装置

発明者： 後藤 渉 ,  深澤 博之
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085195
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214675
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

【課題】機械的安定性が高く、かつ高耐久性、高放熱性の光学半導体装置を実現するための光学半導体装置用基板とその製造方法、並びに基板を使用した光学半導体装置を提供する。【解決手段】光学半導体素子と電気的に接続される少なくとも2つの電気的接続部3を有する光学半導体装置用基板10であって、繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた樹脂層1aの表面に金属層1bが接合された基台を有し、基台の樹脂層側に光学半導体素子を収容して搭載するための少なくとも樹脂層を厚さ方向に貫通した素子搭載用凹部4が形成され、素子搭載用凹部の内面にメッキ5が形成されたものであることを特徴とする光学半導体装置用基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光学半導体素子と電気的に接続される少なくとも2つの電気的接続部を有する光学半導体装置用基板であって、 繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた樹脂層の表面に金属層が接合された基台を有し、該基台の前記樹脂層側に前記光学半導体素子を収容して搭載するための少なくとも前記樹脂層を厚さ方向に貫通した素子搭載用凹部が形成され、該素子搭載用凹部の内面にメッキが形成されたものであることを特徴とする光学半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/12 J

Fターム (6件)：

5F136BB05 ,  5F136DA33 ,  5F136FA03 ,  5F136FA53 ,  5F136GA22 ,  5F136GA33