特許

J-GLOBAL ID：201303024427379064

化合物半導体

発明者： 加藤 光治
出願人/特許権者： 有限会社MTEC
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-089723
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201409
出願日： 2012年03月25日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

【課題】高電圧駆動素子の為の酸化膜分離型SiC基板においてPN層の活性化のためにシリコン酸化膜の融点を越える温度で熱処理をする必要があることが課題となっている。【解決手段】ポリSiCなど融点の高い材料をベース基板として、シリコン酸化膜を含む絶縁膜上に単結晶SiC化合物半導体を形成する素子基板において、該シリコン酸化膜が該単結晶SiCにイオン注入するPN層の不純物の活性化温度以上の融点を持つ材料により囲まれ、シリコン酸化膜が溶融する高温度の活性化処理においてもシリコン酸化膜が飛散や消失をしない構造とすることを特徴とするSiC化合物半導体に関する発明である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ポリSiC、サファイアなどの高温度融点の材料をベース基板として、少なくとも一部にシリコン酸化膜を用いる絶縁膜の上に形成する単結晶SiC化合物半導体層にP層、N層形成する半導体素子において、シリコン酸化膜が他の高温度の融点を有する材料で周囲を覆われて、P層、N層の活性化処理に必要な高温度でシリコン酸化膜溶融する温度以上にさらされてもシリコン酸化膜が飛散、消失しないような構造を有することを特徴とする半導体素子とそれを用いた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C

Fターム (31件)：

5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ17 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN05 ,  5F152NN13 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ02