特許
J-GLOBAL ID：201303024836477035
スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-248166
公開番号（公開出願番号）：特開2013-032597
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】スパッタリングターゲット1の製造方法は、基体2と金属原料粒子とを準備する工程と、基体2にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体2上に金属粒子4の堆積膜からなるターゲット層3を形成する工程とを具備する。ターゲット層3のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP1、金属原料粒子のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP2としたとき、P1とP2との差が10%以内となるように、金属原料粒子を基体2に吹付ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基体と金属原料粒子とを準備する工程と、
前記基体にコールドスプレー法を適用して前記金属原料粒子を高速で吹付け、前記基体上に金属粒子の堆積膜からなるターゲット層を形成する工程であって、前記ターゲット層のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP1、前記金属原料粒子のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP2としたとき、前記P1と前記P2との差が10%以内となるように、前記金属原料粒子を前記基体に吹付ける工程とを具備し、
前記ターゲット層の厚さ方向の断面における前記金属粒子の最大径をX、最小径をY、前記最小径Yに対する前記最大径Xの比(X/Y)を前記金属粒子の扁平率、前記ターゲット層の表面に存在する前記金属粒子の最大径をX、最小径をY、前記最小径Yに対する前記最大径Xの比(X/Y)を前記金属粒子の平面形状としたとき、前記ターゲット層の厚さ方向の断面における前記扁平率が1.5以上の前記金属粒子の個数比率が90%以上であり、かつ前記ターゲット層の表面に存在する前記金属粒子の前記平面形状が1以上2以下の範囲であるターゲット層を、前記金属原料粒子の吹付け工程で得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA08
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC07
, 4K029DC21
, 4K029DC39
