特許
J-GLOBAL ID：201303025033556293
光学変位センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098119
公開番号（公開出願番号）：特開2013-224906
出願日： 2012年04月23日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】多分割型光検出素子出力の処理回路の簡素化とSN比の改善とが図れる光学変位センサを得ること。【解決手段】4つの素子領域2a〜2dそれぞれの一方の端子は共通に抵抗器9を介して第1の電圧Vaが印加され、4つの素子領域2a〜2dそれぞれの他方の端子はそれぞれ対応する増幅器5a〜5dを介して第1の電圧Vaよりも値が小さい第2の電圧Vbが印加され、抵抗器9の値および第1の電圧Va,第2の電圧Vbの値は、入射光により抵抗器9に流れる電流が、入射光の光量が増加しても一定値以上には増加しないという制限が加わるような値に設定されている。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
それぞれ単独の光検出素子として機能する複数の素子領域が分割形成された多分割型光検出素子と、前記多分割型光検出素子への入射光により前記分割された複数の素子領域のそれぞれから前記入射光の光量に応じて出力される電流を1対1の関係で増幅する複数の増幅器とを備え、前記多分割型光検出素子への入射光の入射位置変位を、前記複数の増幅器の出力電圧間の相対的な減少増加変化に基づき計測する光学変位センサにおいて、
前記複数の素子領域それぞれの一方の端子は共通に抵抗器を介して第1の電圧が印加され、前記複数の素子領域それぞれの他方の端子はそれぞれ対応する前記増幅器を介して前記第1の電圧よりも値が小さい第2の電圧が印加され、
前記抵抗器の値および前記第1,第2の電圧の値は、前記入射光により前記抵抗器に流れる電流が、前記入射光の光量が増加しても一定値以上には増加しないという制限が加わるような値に設定されている
ことを特徴とする光学変位センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
2F065AA03
, 2F065AA19
, 2F065AA20
, 2F065DD02
, 2F065DD04
, 2F065EE03
, 2F065GG07
, 2F065GG09
, 2F065JJ03
, 2F065JJ18
, 2F065JJ22
, 2F065JJ24
, 2F065LL30
, 2F065NN03
, 2F065NN13
, 2F065QQ25
, 2F065QQ27
