特許

J-GLOBAL ID：201303025159421377

太陽電池および太陽電池の製造方法

発明者： 金 英水 ,  金 東燮 ,  李 斗烈 ,  金 永鎭 ,  朴 映相 ,  牟 燦濱 ,  李 成▲チョル▼
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (1件)： アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-205690
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098543
出願日： 2012年09月19日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：

【課題】エネルギー使用効率が高い、太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池において、シリコン基板、太陽光を受け入れる前記基板の前面、前記前面に対向する前記基板の後面、前記基板の前記後面に位置し、前記シリコン基板の極性と反対極性でドープされたエミッタ拡散領域、前記基板の前記後面に位置し、前記シリコン基板の極性の同一極性でドープされたベース拡散領域、および前記エミッタ拡散領域と前記ベース拡散領域との間に位置した絶縁間隔を有し、前記絶縁間隔は、前記ベース拡散領域の周囲に位置した、太陽電池。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

太陽電池において、 シリコン基板、 太陽光を受け入れる前記基板の前面、 前記前面に対向する前記基板の後面、 前記基板の前記後面に位置し、前記シリコン基板の極性と反対極性でドープされたエミッタ拡散領域、 前記基板の前記後面に位置し、前記シリコン基板の極性の同一極性でドープされたベース拡散領域、および 前記エミッタ拡散領域と前記ベース拡散領域との間に位置した絶縁間隔 を有し、 前記絶縁間隔は、前記ベース拡散領域の周囲に位置した、太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 L

Fターム (16件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB19 ,  5F151CB20 ,  5F151CB24 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151EA08 ,  5F151EA15 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA16 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151HA03