特許

J-GLOBAL ID：201303025423843641

下地中性膜を用いたマスクパターン積層体の製造方法

発明者： 井上 陽統 ,  白江 良章
出願人/特許権者： 旭化成イーマテリアルズ株式会社
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  中村 和広 ,  齋藤 都子 ,  三間 俊介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-099872
公開番号（公開出願番号）：特開2013-226692
出願日： 2012年04月25日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象を利用して膜面に対して直交する方向に柱状ミクロドメインやラメラ構造を配向させたマスクパターン積層体の製造方法の提供。【解決手段】少なくとも芳香環を含有するモノマー及び(メタ)アクリレートモノマーからなり、かつ、水酸基、エポキシ基、及びアクリロイル基を有さないランダムコポリマーを含有する塗布液を基材上に塗布した後、熱処理を行うランダムコポリマー層の製膜工程、該層上に、少なくとも芳香環を含有するモノマー及び(メタ)アクリレートモノマーからなるブロックコポリマーを含有する塗布液を塗布して、ブロックコポリマー層を積層する工程、及びブロックコポリマー層を芳香環含有ポリマー相とポリ(メタ)アクリレート相とに相分離させ、いずれかの相を選択的に除去してマスクパターン化する工程を含む、マスクパターン積層体の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

以下の工程: 少なくとも芳香環を含有するモノマー、及び(メタ)アクリレートモノマーからなり、かつ、水酸基、エポキシ基、及びアクリロイル基を有さないランダムコポリマーを含有する塗布液(I)を、基材上に塗布した後、260°C〜350°Cで、1〜10分間、熱処理を行うランダムコポリマー層の製膜工程(1)、 少なくとも芳香環を含有するモノマー、及び(メタ)アクリレートモノマーからなるブロックコポリマーを含有する塗布液(II)を、工程(1)で得たランダムコポリマー層上に塗布して、ブロックコポリマー層を積層するブロックコポリマー層の製膜工程(2)、及び 工程(2)で得たブロックコポリマー層を芳香環含有ポリマー部分の相とポリ(メタ)アクリレート部分の相とに相分離させ、相分離したどちらかの相を選択的に除去してマスクパターン化する工程(3)、 を含む、マスクパターン積層体の製造方法。

IPC (4件)：

B32B 27/30 ,  H01L 21/027 ,  B05D 7/24 ,  B32B 3/14

FI (4件)：

B32B27/30 A ,  H01L21/30 502D ,  B05D7/24 302P ,  B32B3/14

Fターム (26件)：

4D075AE03 ,  4D075AE27 ,  4D075BB66Z ,  4D075BB92Z ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EB22 ,  4D075EB52 ,  4F100AB11 ,  4F100AK12B ,  4F100AK25B ,  4F100AK25C ,  4F100AL02C ,  4F100AL03B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100CC00B ,  4F100CC00C ,  4F100DC21C ,  4F100EH46 ,  4F100EJ15C ,  4F100GB41 ,  4F100JA07B ,  4F100YY00B ,  5F146AA28