特許

J-GLOBAL ID：201303025811284549

固体撮像素子

発明者： 成井 禎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044369
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118409
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

【課題】 従来、固体撮像素子を微細化した場合、画素の回路でリーク電流が大きくなり、画像のSN比が劣化するという問題があった。【解決手段】 本発明に係る固体撮像素子は、第1の素子分離手段による素子分離領域を有する第1の半導体基板と、第2の素子分離手段による素子分離領域を有する第2の半導体基板とを有し、前記第1の半導体基板の主面と前記第2の半導体基板の主面とは対向して位置され、前記第1の半導体基板の主面および前記第2の半導体基板の主面には、各々を電気的に接続する接続部が設けられたことを特徴とする。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

第1の素子分離手段による素子分離領域を有する第1の半導体基板と、 第2の素子分離手段による素子分離領域を有する第2の半導体基板とを有し、 前記第1の半導体基板の主面と前記第2の半導体基板の主面とは対向して位置され、 前記第1の半導体基板の主面および前記第2の半導体基板の主面には、各々を電気的に接続する接続部が設けられたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/357 ,  H04N 5/369

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 570 ,  H04N5/335 690

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA31 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX03 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX17 ,  5C024HX40 ,  5C024HX50

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体モジュール及びMOS型固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-224208   出願人：ソニー株式会社