二次元パターニング方法およびマイクロ流路の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-044180
公開番号（公開出願番号）：特開2013-182046
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】フォトリソグラフィーを用いた方法では、基板上にナノパーティクルを塗布、焼成してパーティクル上に樹脂を塗布し、フォトマスクを介して露光と複雑な工程が必要であり、生産性に問題があった。また、電子線ビームリソグラフィーにてエッチングマスクを作製する方法やFIBで直接パターン形成する方法は、スキャニングに基づいて行われる方法であるため、ウエハーレベルの大面積にパターンを形成するには時間がかかることや、加工装置のコストが非常に高いことが課題であった。【解決手段】生産性・コストの問題を解決するために、ナノパーティクルを溶媒に分散した後、分散液をポジ型のフォトレジストと混合すること作製されるナノパーティクルマスク含有レジストを、当該ナノパーティクルマスク含有レジストを基板上に成膜し、フォトマスクを介して露光することで、所望の二次元パターンとナノドットパターンを同時に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポジ型のフォトレジストにナノパーティクルを含有させたナノパーティクルマスク含有レジストを基板の表面に塗布する第1工程と、前記第1工程により基板の表面に塗布されたナノパーティクルマスク含有レジストの表面のうちの一部の領域上に、二次元パターンが形成されたフォトマスクを配置した後に、ナノパーティクルマスク含有レジストの表面を露光する第2工程とを有することを特徴とする二次元パターニング方法。

IPC (5件)：

G03F 7/004 , H01L 21/027 , G03F 7/20 , G03F 7/40 , B81C 1/00

FI (6件)：

G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 570 , G03F7/20 501 , G03F7/40 521 , B81C1/00

Fターム (21件)：

2H096AA30 , 2H096BA11 , 2H096HA11 , 2H096HA30 , 2H097JA04 , 2H097LA15 , 2H097LA16 , 2H125AF02P , 2H125AM80P , 2H125AN10P , 2H125AP05P , 2H125CA30 , 2H125CC03 , 2H125CC21 , 3C081BA09 , 3C081BA23 , 3C081CA13 , 3C081CA23 , 3C081DA43 , 3C081EA29 , 5F146LA18

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