特許

J-GLOBAL ID：201303026106495081

二次電池および二次電池の製造方法

発明者： 鄭 東浩
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社 ,  ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042964
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187193
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】電極の湾曲現象を防止することができる二次電池および二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極、第2電極、並びに前記第1電極および前記第2電極の間に位置するセパレータを含む電極組立体と、前記電極組立体を収容するケースと、を含み、前記第1電極および前記第2電極のそれぞれは、集電体上に活物質層を形成したコーティング部と、活物質層がない無地部とを含み、前記第1電極および前記第2電極のうちの少なくとも1つの電極の前記集電体において、前記無地部における前記集電体のX線回折パターンの最大ピークの半値幅と2番目の大きさのピークの半値幅との比が、前記コーティング部における前記集電体のX線回折パターンの最大ピークの半値幅と2番目の大きさのピークの半値幅との比より大きいことを特徴とする、二次電池。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1電極、第2電極、並びに前記第1電極および前記第2電極の間に位置するセパレータを含む電極組立体と、 前記電極組立体を収容するケースと、を含み、 前記第1電極および前記第2電極のそれぞれは、集電体上に活物質層を形成したコーティング部と、活物質層が存在しない無地部とを含み、 前記第1電極および前記第2電極のうちの少なくとも1つの電極の前記集電体において、前記無地部における前記集電体のX線回折パターンの最大ピークの半値幅と2番目の大きさのピークの半値幅との比が、前記コーティング部における前記集電体のX線回折パターンの最大ピークの半値幅と2番目の大きさのピークの半値幅との比より大きいことを特徴とする、二次電池。

IPC (3件)：

H01M 4/02 ,  H01M 4/64 ,  H01M 4/04

FI (3件)：

H01M4/02 Z ,  H01M4/64 A ,  H01M4/04 A

Fターム (27件)：

5H017AA03 ,  5H017BB06 ,  5H017BB08 ,  5H017CC01 ,  5H017HH00 ,  5H017HH03 ,  5H017HH05 ,  5H017HH07 ,  5H017HH09 ,  5H028AA05 ,  5H028BB04 ,  5H028CC05 ,  5H028CC12 ,  5H028HH00 ,  5H028HH05 ,  5H050AA19 ,  5H050BA08 ,  5H050BA17 ,  5H050BA18 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB03 ,  5H050CB07 ,  5H050DA17 ,  5H050HA04 ,  5H050HA13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電極の製造方法および電極製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-165703   出願人：株式会社村田製作所