特許

J-GLOBAL ID：201303026220217954

半導体装置

発明者： 鷹巣 博昭
出願人/特許権者： セイコーインスツル株式会社
代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012317
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153019
出願日： 2012年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】 占有面積の増加を少なく、十分なESD保護機能を持たせたESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域は、ESD保護用トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ESD保護用のN型MOSトランジスタを含む複数のMOS型トランジスタを有し、前記複数のMOS型トランジスタ間には電気的分離のためにトレンチ分離領域が設置された半導体装置において、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域に接して、前記トレンチ分離領域よりも垂直方向の深さが深いESD保護用トレンチ領域が設置され、前記ESD保護用トレンチ分離領域の側面および下面に設置された前記ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、前記ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (6件)：

H01L29/78 301K ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/04 H

Fターム (37件)：

5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF16 ,  5F048CC08 ,  5F140AA38 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BH05 ,  5F140BH07 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH30 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ27 ,  5F140CB04 ,  5F140DA08