特許
J-GLOBAL ID：201303026261838432

半導体装置およびその作製方法

発明者：
笹川 慎也

笹川 慎也 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275222
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149963
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】微細なチャネル長のボトムゲート型トランジスタを作製する方法、およびそのトランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極およびドレイン電極のチャネル形成領域に近接する部分を、他の部分より薄い構成にする微細なチャネル長のボトムゲート型トランジスタを創作した。また、ソース電極およびドレイン電極のチャネル形成領域に近接する部分を、他の部分より後の工程で形成することにより、チャネル長が微細なボトムゲート型トランジスタを作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート電極層を形成する工程と、 前記ゲート電極層の上に接するようにゲート絶縁層を形成する工程と、 前記ゲート絶縁層の上に接して、かつ前記ゲート電極層と重なるように、酸化物半導体層を形成する工程と、 前記酸化物半導体層の上に接して、かつ前記酸化物半導体層を覆うように、導電層を形成する工程と、 前記導電層の上に接し前記ゲート電極層を挟んで離間する、第1低抵抗材料層および第2低抵抗材料層を形成する工程と、 前記第1低抵抗材料層および前記第2低抵抗材料層ならびに前記導電層の上に接するように、第1保護層を形成する工程と、 前記第1保護層を平坦化する工程と、 平坦化した前記第1保護層の上に接するように、ハードマスク層を形成する工程と、 前記ハードマスク層の表面において、前記第1低抵抗材料層と前記第2低抵抗材料層の間で、かつ前記酸化物半導体層と重なる領域に、開口パターン部を有するレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを用いて、前記ハードマスク層をエッチングして開口パターンを形成する工程と、 前記開口パターンを有するハードマスク層をマスクとして用いて、前記第1保護層を前記導電層が露出するまでエッチングする工程と、 前記開口パターンを有するハードマスク層と前記第1保護層をマスクとして用いて、前記導電層をエッチングして、第1導電層と第2導電層に分離して形成する工程と、 前記第1保護層の開口部を第2保護層で充填する工程と、を有する半導体装置の作製方法。
IPC (10件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105
FI (10件)：
H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441
Fターム (139件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD91 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB03 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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