特許

J-GLOBAL ID：201303026344599154

老化遅延装置

発明者： 岸田 利男
出願人/特許権者： 有限会社ティケイ企画
代理人 (1件)： 村田 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008577
公開番号（公開出願番号）：特開2013-146369
出願日： 2012年01月19日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】低周波電気信号による刺激を神経を介して大脳皮質に伝達し、大脳皮質の機能低下(老化)を抑制する老化遅延装置を提供する。【解決手段】足裏に当接する1又は2個の足裏導子電極部と、足裏以外の肌の任意箇所に当接して使用できる複数のピン導子電極を植設してなるピン導子電極部が配設されたグリップ部と、前記足裏導子電極部と前記ピン導子電極部間に低周波電気信号を生成し印加するための人の呼吸周期に同期した矩形波状の第1の低周波信号に1Hz〜200Hzの第2の低周波信号、又は400Hz〜600Hzの矩形波状の第3の低周波信号を重畳し、前記重畳する低周波信号のマイナス電位のピーク値がプラス電位のピーク値より大きな低周波電気信号として生成されるよう構成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

低周波電気信号による刺激を神経を介して大脳皮質に伝達し、大脳皮質の機能低下(老化)を抑制する装置であって、 同装置は、前記低周波電気信号を生成する低周波信号生成手段と、同低周波信号生成手段に接続された身体の1部に当接してマイナス電位を付与する電極部と、身体の他方に当接してプラス電位を付与する電極部とを備え、 前記低周波信号生成手段は、前記マイナス電位のピーク値が前記プラス電位のピーク値より大きな低周波電気信号として生成されるように構成されてなることを特徴とする老化遅延装置。

IPC (1件)：

A61N 1/32

FI (1件)：

A61N1/32

Fターム (3件)：

4C053JJ04 ,  4C053JJ05 ,  4C053JJ21