特許
J-GLOBAL ID：201303026591126579

パターン計測方法およびパターン計測装置

発明者：
西山 泰史

西山 泰史 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 廣瀬 一 ,  宮坂 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-041783
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178143
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】パターンの材料や断面形状をモデル化してシミュレーションし、計測によって得られた二次電子プロファイルとのマッチングをする場合に、計測されるプロファイルがパターンのエッジラフネスによって変動して寸法計測誤差の原因となるが、この寸法計測誤差を抑制する。【解決手段】パターン端部の情報から粗さに関するパラメータを抽出し(ステップS3,S4)、これを考慮したシミュレーションのライブラリとのマッチングを行ってパターンの寸法を決定することにより(ステップS5,S6)、より高精度の計測結果を得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被計測物の表面に電子を照射し、電子を入射した位置と表面から放出される電子の量の関係を検出して表面の形状に関する情報を抽出して、被計測物の表面に形成されたパターンの寸法を計測する方法であって、 前記表面の形状に関する情報として、パターン端部の粗さを特徴づけるパラメータを抽出し、前記パラメータを考慮したシミュレーション結果と照合してパターンの寸法を決定する手順を含むことを特徴とするパターン計測方法。
IPC (2件)：
G01B 15/00 ,  G01B 15/04
FI (2件)：
G01B15/00 K ,  G01B15/04 K
Fターム (25件)：
2F067AA16 ,  2F067AA26 ,  2F067AA54 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC16 ,  2F067FF01 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK08 ,  2F067QQ01 ,  2F067QQ11 ,  2F067RR00 ,  2F067RR12 ,  2F067RR14 ,  2F067RR20 ,  2F067RR25 ,  2F067RR27 ,  2F067RR28 ,  2F067RR30 ,  2F067RR31 ,  2F067RR32 ,  2F067RR41 ,  2F067RR44
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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