特許

J-GLOBAL ID：201303026893079510

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 伊 藤 彰 子 ,  山 下 寛 樹 ,  村 越 篤
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058961
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191818
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の誘電率が異なるトランジスタを低コストに製造する。【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板101上にランタン含有シリコン酸化膜103を形成し、ランタン含有シリコン酸化膜103上に電極層104を形成し、所定領域において、電極層104及びランタン含有シリコン酸化膜103を所定形状に加工して、ランタン含有シリコン酸化膜103の側壁を露出させ、ランタン含有シリコン酸化膜103の側壁に酸化性薬液を接触させる。ランタン含有シリコン酸化膜103は、酸化性薬液と接触することで、少なくとも一部がシリコン酸化膜110に変化する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上にアルミニウムが添加されたランタン含有シリコン酸化膜を形成し、 前記ランタン含有シリコン酸化膜上に電極層を形成し、 第1所定領域において、前記電極層及び前記ランタン含有シリコン酸化膜を所定形状に加工して、前記ランタン含有シリコン酸化膜の側壁を露出させ、 前記ランタン含有シリコン酸化膜の側壁に酸化性薬液を接触させて、前記ランタン含有シリコン酸化膜をシリコン酸化膜に変化させるとともに、前記シリコン酸化膜中に空洞を形成し、 前記ランタン含有シリコン酸化膜をシリコン酸化膜に変化させた後、前記第1所定領域とは異なる第2所定領域において、前記電極層及び前記ランタン含有シリコン酸化膜を所定形状に加工して、前記ランタン含有シリコン酸化膜の側壁を露出させ、 前記第2所定領域の前記ランタン含有シリコン酸化膜の側壁に酸化性薬液を接触させて、このランタン含有シリコン酸化膜の両端部をシリコン酸化膜に変化させる 半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G

Fターム (24件)：

5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048DA27 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG38 ,  5F140BG51 ,  5F140CE07