特許
J-GLOBAL ID:201303026914531222
半導体装置及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-056541
公開番号(公開出願番号):特開2013-225117
出願日: 2013年03月19日
公開日(公表日): 2013年10月31日
要約:
【課題】動作不良を抑制する。【解決手段】第1の配線と、第1及び第2の容量素子のそれぞれの一対の電極の一方との導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、第2の配線と、ソース及びドレインの一方が第2の配線に電気的に接続され、ゲートが第1の容量素子の一対の電極の他方に電気的に接続されるトランジスタと、トランジスタのゲートと、トランジスタのソース及びドレインの一方との導通を制御する機能を有する第2のスイッチと、トランジスタのソース及びドレインの他方と、第1及び第2の容量素子のそれぞれの一対の電極の一方との導通を制御する機能を有する第3のスイッチと、第2の容量素子の一対の電極の他方と、トランジスタのソース及びドレインの他方との導通を制御する機能を有する第4のスイッチと、第3の配線と、第2の容量素子の一対の電極の他方との導通を制御する機能を有する第5のスイッチと、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の配線と、
第1の容量素子と、
第2の容量素子と、
前記第1の配線と、前記第1及び第2の容量素子のそれぞれの一対の電極の一方との導通を制御する機能を有する第1のスイッチと、
第2の配線と、
ソース及びドレインの一方が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲートが前記第1の容量素子の一対の電極の他方に電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートと、前記トランジスタのソース及びドレインの一方との導通を制御する機能を有する第2のスイッチと、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方と、前記第1及び第2の容量素子のそれぞれの一対の電極の一方との導通を制御する機能を有する第3のスイッチと、
前記第2の容量素子の一対の電極の他方と、前記トランジスタのソース及びドレインの他方との導通を制御する機能を有する第4のスイッチと、
第3の配線と、
前記第3の配線と、前記第2の容量素子の一対の電極の他方との導通を制御する機能を有する第5のスイッチと、を有する半導体装置。
IPC (8件):
G09G 3/30
, H01L 29/786
, G09G 3/36
, G09G 3/20
, H01L 51/50
, H05B 33/14
, G02F 1/136
, G02F 1/133
FI (15件):
G09G3/30 K
, H01L29/78 614
, G09G3/36
, G09G3/20 624B
, G09G3/30 J
, G09G3/20 691D
, G09G3/20 611H
, G09G3/20 670J
, G09G3/20 642A
, G09G3/20 670K
, G09G3/20 641P
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
, G02F1/1368
, G02F1/133 550
Fターム (162件):
2H192AA24
, 2H192CB02
, 2H192CB05
, 2H192CB11
, 2H192CB33
, 2H192CB34
, 2H192CB35
, 2H192CB37
, 2H192FB02
, 2H192FB27
, 2H192HA90
, 2H193ZA02
, 2H193ZA19
, 2H193ZB07
, 2H193ZE02
, 2H193ZE06
, 2H193ZF42
, 2H193ZF43
, 3K107AA01
, 3K107AA05
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC33
, 3K107CC45
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, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110QQ16
引用特許:
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