半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-056326
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191698
出願日： 2012年03月13日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】閾値の制御性が高く、かつ、高い性能を備える半導体装置を提供する。【解決手段】実施の形態の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成される埋め込み絶縁層と、埋め込み絶縁層上に形成され、狭窄部、狭窄部より幅が広く狭窄部の一端および他端にそれぞれ接続される2つの幅広部、を有する半導体層と、狭窄部の側面に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を備える。そして、狭窄部下の半導体基板の不純物濃度が狭窄部の不純物濃度より高く、狭窄部下の半導体基板の不純物濃度が幅広部下の半導体基板の不純物濃度より高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成される埋め込み絶縁層と、前記埋め込み絶縁層上に形成され、狭窄部、前記狭窄部より幅が広く前記狭窄部の一端および他端にそれぞれ接続される2つの幅広部、を有する半導体層と、前記狭窄部の側面に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を備え、前記狭窄部下の前記半導体基板の不純物濃度が前記狭窄部の不純物濃度より高く、前記狭窄部下の前記半導体基板の不純物濃度が前記幅広部下の前記半導体基板の不純物濃度より高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (5件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 626C , H01L29/78 617K , H01L29/78 617S , H01L29/58 G

Fターム (65件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD63 , 4M104DD71 , 4M104DD91 , 4M104EE09 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF14 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 5F110AA08 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK13 , 5F110HK31

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370035 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370035 出願人：株式会社東芝

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