特許
J-GLOBAL ID：201303026956593295

半導体積層構造の製造方法

発明者：
渡邉 則之

渡邉 則之 について

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重川 直輝

重川 直輝 について

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横山 春喜

横山 春喜 について

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小林 康之

小林 康之 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-223847
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084781
出願日： 2011年10月11日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。【解決手段】c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面104aとされた第2半導体層104の主表面に、第1半導体層103のIII族極性面103aを貼り合わせた後、第1半導体層103と基板101とを、分離層102で分離する。【選択図】 図1D
請求項（抜粋）：
基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、 前記分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる第1半導体層を+c軸方向に結晶成長する工程と、 c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面とされた第2半導体層の主表面に、前記第1半導体層のIII族極性面を貼り合わせる工程と、 前記第1半導体層と前記基板とを前記分離層で分離する工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体積層構造の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (27件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F152LL05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN11 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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