特許
J-GLOBAL ID:201303027218378750

熱電半導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-014670
公開番号(公開出願番号):特開2013-157362
出願日: 2012年01月26日
公開日(公表日): 2013年08月15日
要約:
【課題】高い電気伝導率σを可能とし、高い性能指数を有する熱電変半導体の提供。【解決手段】母材を構成する母材元素と、前記母材元素の原子半径の1.09倍以上の原子半径を有するドーパント元素と、を含むことを特徴とする。この様に構成すると、ドープされる元素の原子半径が大きいので、母材構成元素と原子置換されない。これにより、従来型の熱電半導体においてドーパントが母材構成元素と置換されて生じていた、キャリア散乱の頻度が減少する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
母材を構成する母材元素と、 前記母材元素の原子半径の1.09倍以上の原子半径を有するドーパント元素と、 を含むことを特徴とする、熱電半導体。
IPC (2件):
H01L 35/16 ,  H01L 35/34
FI (2件):
H01L35/16 ,  H01L35/34
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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