特許

J-GLOBAL ID：201303027290437974

ウェハを担持するアクティブキャリア及び解放方法

発明者： オーステルホエイス,ヘリット ,  ファン デル ゾン,クレメンス マリア ベルナルドゥス ,  ブレマ,ヤン アイテ ,  ティンメル,クラース ,  フィスヘル,ハルトムート ルドルフ ,  ブルグフールン,マリア マテア アントネッタ
出願人/特許権者： ネイダーランゼ、オルガニザティー、ボー、トゥーゲパストナトゥールウェテンシャッペルーク、オンダーツォーク、ティーエヌオー
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-531521
公開番号（公開出願番号）：特表2013-543262
出願日： 2011年09月27日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

極薄半導体ダイの解放及びピックアップの分野において、ウェハを担持するアクティブキャリア1及び該キャリアの使用方法が提供される。ウェハ20は特定のダイ配列Pを有する。アクティブキャリア1は、ベースプレート2と、該ベースプレートの表面又は内部に構築された複数のエネルギー供給部7とを有する。エネルギー供給部7は、ダイ配列Pに対応する配列にレイアウトされる。エネルギー供給部7は、ダイ配列Pから選択されたダイ14に近接する接着層3に局所的にエネルギー供給することができる。この局所的な接着層へのエネルギー供給により、選択されたダイが接着層3から解放される。さらに、アクティブキャリア1は、外部からアドレス可能な複数のコンタクト12と伝導路9とを有する。伝導路9は、コンタクト12をエネルギー供給部7に接続し、それにより、コンタクト12をアドレス指定することによるエネルギー供給部7の個別制御を可能にする。

請求項（抜粋）：

ダイ配列を有するウェハを担持するためのアクティブキャリアであって、 ベースプレートと、 前記ベースプレートの表面又は内部に構築され、且つ前記ダイ配列から選択されたダイに近接する接着層に局所的にエネルギー供給するように構成されて前記ダイ配列に対応する配列にレイアウトされた、複数のエネルギー供給部であり、前記選択されたダイを前記接着層から解放することを可能にする複数のエネルギー供給部と、 外部からアドレス可能な複数のコンタクトと、 前記コンタクトを前記エネルギー供給部に接続し、それにより、前記コンタクトをアドレス指定することによる前記複数のエネルギー供給部の個別制御を可能にするように構成された伝導路と、 を有するアクティブキャリア。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L21/78 M ,  H01L21/78 V ,  H01L21/78 Y ,  H01L21/02 Z

Fターム (10件)：

5F063AA11 ,  5F063AA33 ,  5F063CB03 ,  5F063CB07 ,  5F063CB23 ,  5F063CB30 ,  5F063DD27 ,  5F063DD59 ,  5F063DD79 ,  5F063DG01