特許

J-GLOBAL ID：201303027306618214

半導体装置および半導体装置の複合体、並びにそれらの製造方法

発明者： 豊田 慶 ,  南尾 匡紀
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人森本国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275155
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125916
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】半導体素子から発生する熱の放熱性に優れ、過昇温による故障を抑制することができる信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子3と、半導体素子3を封止する樹脂6と、樹脂6によって固定された放熱板5と、を備え、放熱板5が樹脂6から突出する突出部5aを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、前記樹脂によって固定された放熱板と、を備え、前記放熱板が前記樹脂から突出する第1突出部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L23/36 A ,  H01L25/04 Z

Fターム (11件)：

5F136BB01 ,  5F136BC03 ,  5F136DA04 ,  5F136DA05 ,  5F136DA07 ,  5F136DA44 ,  5F136EA02 ,  5F136FA01 ,  5F136FA12 ,  5F136FA22 ,  5F136GA35