特許
J-GLOBAL ID：201303027475515335
IGBTデバイスの動作状態を実時間で監視するシステムと方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (14件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 白根 俊郎
, 峰 隆司
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003541
公開番号（公開出願番号）：特開2013-142704
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：
【課題】IGBTデバイスの動作状態を実時間で監視するシステム、特に、IGBTデバイスの接合部温度を決定するシステムを提供する。【解決手段】IGBTデバイスのスイッチオフ段階中のミラープラトー段階によって形成されたエッジと相関するパルスを取得するために、測定されるIGBTデバイスのゲート-エミッタ電圧の特性を受け取って、ゲート-エミッタ電圧の特性を区別する差動ユニット21と、IGBTデバイスのスイッチオフ段階中のミラープラトー段階の開始と終了とを示す、取得されたパルス間の時間遅延を測定するタイマユニット23と、測定された時間遅延に基づいて、IGBTデバイスの接合部温度を決定する接合部温度計算ユニット25と、を具備する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
IGBTデバイス(12)の接合部温度及び/又は残りの寿命を決定するシステム(20)であって、
-前記IGBTデバイス(12)のスイッチオフ段階中のミラープラトー段階によって形成された複数のエッジと相関する複数のパルスを取得するために、測定される前記IGBTデバイス(12)のゲート-エミッタ電圧(VGE)の特性を受け取って、前記ゲート-エミッタ電圧(VGE)の特性を区別する差動ユニット(21)と、
-前記IGBTデバイス(12)の前記スイッチオフ段階中の前記ミラープラトー段階の開始と終了とを示す、前記取得された複数のパルス間の時間遅延(tdelay)を測定するタイマユニット(23)と、
-前記測定された時間遅延(tdelay)に基づいて、前記IGBTデバイス(12)の前記接合部温度及び/又は前記残りの寿命を決定する接合部温度計算ユニット(25)と、
を具備する、システム(20)。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2G003AA01
, 2G003AB01
, 2G003AB09
, 2G003AB16
, 2G003AE06
, 2G003AH02
