特許

J-GLOBAL ID：201303027818229040

パワー半導体モジュール用部品の製造方法

発明者： 前中 寛 ,  近藤 峻右 ,  渡邉 貴志 ,  樋口 勲夫
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-237077
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098217
出願日： 2011年10月28日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：

【課題】絶縁層の熱伝導性及び接着性が高いパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュール用部品11の製造方法では、熱伝導体2と無機フィラーを含む第1,第2の絶縁層3,4とを備える積層体1であって、第1,第2の絶縁層3,4が、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、第1,第2の絶縁層3,4がそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含み、第1の絶縁層3の硬化率が50%以上であり、第2の絶縁層4の硬化率が80%未満であり、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPa・s以下である液状エポキシ化合物又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体1を用いる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体と、前記熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の前記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備える積層体であって、 前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、 前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含み、前記第1の絶縁層の硬化率が50%以上であり、前記第2の絶縁層の硬化率が80%未満であり、前記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPa・s以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体を用いて、 前記積層体における前記第2の絶縁層の前記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層する工程と、 前記第1の絶縁層が半硬化物である場合に前記第1の絶縁層を硬化させ、かつ前記第2の絶縁層を硬化させる工程と、 前記熱伝導体と前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層と前記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える、パワー半導体モジュール用部品の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/373

FI (1件)：

H01L23/36 M

Fターム (9件)：

5F136BB05 ,  5F136BC05 ,  5F136DA27 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA52 ,  5F136FA56 ,  5F136FA63 ,  5F136FA82