強誘電体薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-073402
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256850
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】(100)面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】結晶面が(111)軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が(100)面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を35nm〜150nmの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶面が(111)軸方向に配向した下部電極を有する基板の前記下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、仮焼した後、焼成して結晶化させることにより前記下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法において、前記強誘電体薄膜形成用組成物を前記下部電極上に塗布、仮焼、焼成して配向制御層を形成し、前記強誘電体薄膜形成用組成物の塗布量を前記配向制御層の結晶化後の層厚が35nm〜150nmの範囲内になるように設定して前記配向制御層の優先的な結晶配向を(100)面にすることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01G 4/33 , H01G 4/30 , H01G 4/12

FI (5件)：

H01L21/316 G , H01L27/10 444C , H01G4/06 102 , H01G4/30 301E , H01G4/12 358

Fターム (24件)：

5E001AB03 , 5E001AH01 , 5E001AH09 , 5E001AJ02 , 5E082AB01 , 5E082AB03 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5F058BB05 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BJ10 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (6件)

強誘電体膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-085419 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-057242 出願人：三菱マテリアル株式会社
ゾル-ゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-079216 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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