特許

J-GLOBAL ID：201303028045646980

エピタキシャルウェハの製造方法

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典 ,  磯江 悦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050220
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187285
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】Si基板上に窒化物半導体が形成されたエピタキシャルウェハを用いて作製される電子デバイスの歩留まりを向上できるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。【解決手段】Si基板をウェットエッチングにより洗浄する第1の工程(S1)と、第1の工程(S1)の後、Si基板をドライエッチングにより洗浄する第2の工程(S2)と、第2の工程(S2)の後、Si基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる第3の工程(S3)とを有する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

Si基板をウェットエッチングにより洗浄する第1の工程と、 上記第1の工程の後、上記Si基板をドライエッチングにより洗浄する第2の工程と、 上記第2の工程の後、上記Si基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる第3の工程と を有することを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q

Fターム (41件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA67 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21