特許
J-GLOBAL ID：201303028182554618

メサ型半導体素子の製造方法

発明者：
谷藤 昭仁

谷藤 昭仁 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  大房 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-021233
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161888
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】メサ型半導体素子の製造方法において、メサ型半導体素子における半田層の厚さの均一化を容易に図ることができると共に、メサ型半導体素子の歩留まり向上も図れるようにする。【解決手段】半導体基板2の一方の主面2aにメサ溝7を形成し、このメサ溝7によって一方の主面2aを複数の領域に区画する工程と、一方の主面2aにおける前記複数の領域にそれぞれ第一電極層3を形成する工程と、複数の第一電極層3に半田層5を形成する半田層形成工程と、を順番に実施する。そして、半田層形成工程では、複数の第一電極層3を一括して覆うように一方の主面2a上に半田シート15を載置した上で、リフロー処理を実施して半田シート15を溶融させることで半田層5を複数の第一電極層3上にそれぞれ形成する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主面に互いに間隔をあけて複数のメサ溝を形成し、これら複数のメサ溝によって前記一方の主面を複数の領域に区画するメサ溝形成工程と、 前記一方の主面における前記複数の領域にそれぞれ第一電極層を形成する電極層形成工程と、 当該電極層形成工程の後に複数の前記第一電極層に半田層を形成する半田層形成工程と、を備え、 前記半田層形成工程では、前記複数の第一電極層を一括して覆うように前記一方の主面上に半田シートを載置した上で、リフロー処理を実施して前記半田シートを溶融させることで前記半田層を前記複数の第一電極層上にそれぞれ形成することを特徴とするメサ型半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/52
FI (2件)：
H01L29/91 A ,  H01L21/52 G
Fターム (4件)：
5F047BA01 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19 ,  5F047CB00
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭51-115777
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205319   出願人：日本インター株式会社
審査官引用 (2件)
  • 特開昭51-115777
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205319   出願人：日本インター株式会社

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