特許
J-GLOBAL ID：201303028579213744

III族窒化物複合基板からの支持基板の分離方法およびIII族窒化物ウエハの製造方法

発明者：
佐藤 一成

佐藤 一成 について

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関 裕紀

関 裕紀 について

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石原 邦亮

石原 邦亮 について

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山本 喜之

山本 喜之 について

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松原 秀樹

松原 秀樹 について

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吉村 雅司

吉村 雅司 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210929
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179253
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】効率が高くコストが低いIII族窒化物複合基板からの支持基板の分離方法およびIII族窒化物ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物複合基板からの支持基板の分離方法およびIII族窒化物ウエハの製造方法は、エッチャントEにより一部がエッチングされて多孔10pが形成される支持基板10と、支持基板10上に配置されたエッチャントEによりエッチングされる接合層20と、接合層20上に配置されたIII族窒化物層30aと、を含むIII族窒化物複合基板1を準備する工程と、エッチャントEにより支持基板10の一部および接合層20をエッチングすることにより除去する工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エッチャントにより一部がエッチングされて多孔が形成される支持基板と、前記支持基板上に配置された前記エッチャントによりエッチングされる接合層と、前記接合層上に配置されたIII族窒化物層と、を含むIII族窒化物複合基板を準備する工程と、 前記エッチャントにより前記支持基板の一部および前記接合層をエッチングすることにより除去する工程と、を含むIII族窒化物複合基板からの支持基板の分離方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20
Fターム (17件)：
5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL12 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152MM18 ,  5F152NN11 ,  5F152NN12 ,  5F152NN15 ,  5F152NN22 ,  5F152NN24 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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