特許
J-GLOBAL ID：201303028581695918

有機EL素子とその製造方法

発明者：
芝田 旬臣

芝田 旬臣 について

, 
坂元 豪介

坂元 豪介 について

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松井 雅史

松井 雅史 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-030400
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168478
出願日： 2012年02月15日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】有機EL部内のリークパスによる低電圧駆動時の不具合を低減することにより、良好な駆動が期待できる有機EL素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板101上の配線部120のSD電極106と陽極112との間に、NPBまたはペンタセンで構成した有機層111を介設し、SD電極106、有機層111、陽極112からなる積層部121で、当該積層部121への閾値電圧値未満の電圧印加時において電流遮断特性を有する素子を構成する。陽極112に有機発光層113、陰極114、封止層115を積層して有機EL素子100とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機発光層と、前記有機発光層に電気接続された第1電極及び第2電極とを備える有機EL部と、 前記有機EL部に対応して設けられたTFTと、 前記TFTのソース電極及びドレイン電極のいずれか一方のTFT電極と、前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方のEL電極との間に介設された有機層とを具備し、 前記TFT電極、前記有機層、前記EL電極からなる積層部は、 前記TFT電極と前記EL電極との間に印加された電圧が所定値未満の範囲において、電流遮断特性を有している 有機EL素子。
IPC (9件)：
H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  G09F 9/00 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32
FI (9件)：
H05B33/14 B ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/10 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/30 338
Fターム (46件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC29 ,  3K107DD21 ,  3K107DD26 ,  3K107DD38 ,  3K107DD39 ,  3K107DD44X ,  3K107DD44Y ,  3K107DD44Z ,  3K107DD58 ,  3K107DD71 ,  3K107DD74 ,  3K107DD78 ,  3K107DD90 ,  3K107DD91 ,  3K107DD92 ,  3K107DD93 ,  3K107DD94 ,  3K107EE03 ,  3K107EE04 ,  3K107FF19 ,  3K107HH03 ,  5C094AA04 ,  5C094AA25 ,  5C094AA32 ,  5C094AA37 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB12 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5G435AA14 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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