特許

J-GLOBAL ID：201303028632044518

半導体装置の製造方法

発明者： 菊谷 圭介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (17件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-001404
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143398
出願日： 2012年01月06日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：

【課題】半導体装置の微細なパターンに対するコンタクト形成の信頼性を向上する。【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、第1及び第2の領域100,200内に側壁膜80を形成する工程と、領域200内の第1の側壁膜80を覆う第2の犠牲層72を、側壁膜80の側面上から両側へ突出するように、形成し、第2の幅を有する第1の側壁膜80の側面上に、第2の幅LIbを有する第3の犠牲層74を形成する工程と、幅LWb,LWcを有する第2及び第3の側壁膜82A,82Bを、領域100内において第2の幅に対応する第1の間隔LIb,LIc,LIdを有して犠牲層74を挟んで第1の側壁膜80にそれぞれ隣り合い、領域200内において第1の間隔LIb,LIc,LIdより大きい第2の間隔Dxを有して犠牲層72,74を挟んで第1の側壁膜80にそれぞれ隣り合うように、形成する工程と、を含む。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の方向に隣り合う第1及び第2の領域内の被加工層上に、前記第1の方向に延在し、第1の幅を有する第1の部分と、前記第2の領域内に設けられ、前記第1の方向に交差する第2方向における第1の寸法が前記第1の幅より大きいフリンジとを含む第1の犠牲層を、形成する工程と、 前記第1の犠牲層の側面上に、第1の側壁膜を形成する工程と、 前記第2の領域内の前記第1の側壁膜が含む第2の部分を覆う第2の犠牲層を、前記第2の部分の幅方向に対して平行方向について前記第2の部分の側面上から両側へ突出するように、リソグラフィを用いてリソグラフィの解像度の限界寸法以上の寸法で形成し、リソグラフィの解像度の限界寸法より小さい寸法であって前記第1の幅より小さい第2の幅を有する前記第1の側壁膜の側面上及び前記第2の犠牲層の側面上に、実質的に前記第2の幅を有する第3の犠牲層を、前記第1の犠牲層を除去した後に側壁材に対するエッチバックによって形成する工程と、 実質的に前記第2の幅を有する第2及び第3の側壁膜を、前記第1の領域内では前記第2の幅に対応する第1の間隔を有して前記第3の犠牲層を挟んで前記第1の側壁膜にそれぞれ隣り合い、且つ、前記第2の領域内では前記第1の間隔より大きい第2の間隔を有して、前記第2及び第3の犠牲層を挟んで前記第1の側壁膜にそれぞれ隣り合うように、形成する工程と、 前記第2及び第3の犠牲層を除去した後、前記第1乃至第3の側壁膜の幅方向に対して平行方向について前記第2の幅より大きい第2の寸法を有する第1のマスクパターンを、前記第1乃至第3の側壁膜の前記第2の間隔で隣接している部分と重なる前記第2の領域内の位置に、前記第1乃至第3の側壁膜毎にリソグラフィを用いて形成し、且つ、前記第1乃至第3の側壁膜とは重ならない前記第1の領域内の位置に、トランジスタのゲートパターンに対応する前記第2の幅より大きい第3の幅を有する第2のマスクパターンをリソグラフィを用いて形成するとともに、前記第1及び第2のマスクパターンを形成するときに、前記第1乃至第3の側壁膜の上端の位置が揃うように、前記第1の領域内で先に露出した前記第1乃至第3の側壁膜の上端を選択的にエッチングする工程と、 前記第1乃至第3の側壁膜、並びに、前記第1及び第2のマスクパターンが転写されるように、前記被加工層を加工し、前記第1の領域内では前記第1の間隔、前記第2の領域内では前記第2の間隔で隣り合い、且つ、実質的に前記第2の幅を有する複数の配線と、前記配線毎に接続された実質的に前記第2の寸法を有するコンタクト部と、前記トランジスタのゲート電極を形成する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371

Fターム (49件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD71 ,  4M104FF14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BH13