特許
J-GLOBAL ID：201303028715554810

窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体エピタキシヤルウエハ、および窒化物半導体自立基板

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について

, 
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

, 
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-197038
公開番号（公開出願番号）：特開2013-075815
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。【解決手段】 種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205
Fターム (39件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EG03 ,  4G077EG11 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077EH01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC04 ,  4G077TC17 ,  4G077TD02 ,  4G077TF05 ,  4G077TH05 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EB15 ,  5F045EE13
引用特許：
審査官引用 (7件)
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