半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129816
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256774
出願日： 2011年06月10日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】まず、炭化珪素基板1の表面を洗浄する(ステップS1)。つぎに、原料ガスをECRプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板1に照射することで、炭化珪素基板1の表面にシリコン窒化膜2を成長させる(ステップS2)。つぎに、ECRプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜2の表面にシリコン酸化膜3を堆積する(ステップS3)。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜2およびシリコン酸化膜3が形成された炭化珪素基板1のアニール処理を行う(ステップS4)。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

プラズマを照射することにより、炭化珪素基板の表面にシリコン窒化膜を成長させる第1膜成長工程と、前記シリコン窒化膜の表面にシリコン酸化膜を形成する第2膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/318

FI (12件)：

H01L21/316 M , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/316 P , H01L21/318 M , H01L21/318 C

Fターム (35件)：

5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BH04 , 5F058BJ04 , 5F140AA00 , 5F140AC21 , 5F140AC22 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BE02 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF43 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ27

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-114616 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-166320 出願人：経済産業省産業技術総合研究所長, 科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
特開昭63-172429

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