特許
J-GLOBAL ID：201303029412365700

記憶装置

発明者：
松林 大介

松林 大介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-089267
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256407
出願日： 2012年04月10日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】回路面積を小さくする。【解決手段】記憶データとしてデータを記憶するメモリセルと、出力信号線と、電圧が与えられる配線と、を具備し、メモリセルは、記憶データと検索データの比較演算を行い、演算結果に応じて導通状態又は非導通状態になる比較回路と、記憶データの書き込み及び保持を制御する電界効果トランジスタと、を備え、比較回路が導通状態のときに、出力信号線の電圧値が配線の電圧と同等の値になる記憶装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
記憶データとしてデータを記憶するメモリセルと、 出力信号線と、 電圧が与えられる配線と、を具備し、 前記メモリセルは、 前記記憶データと検索データの比較演算を行い、前記記憶データの値が前記検索データの値よりも小さいときに導通状態になり、前記記憶データの値が前記検索データと一致するとき、又は前記記憶データの値が前記検索データの値よりも大きいときに非導通状態になる比較回路と、 前記記憶データの書き込み及び保持を制御する電界効果トランジスタと、を備え、 前記比較回路が導通状態のときに、前記出力信号線の電圧値が前記配線の電圧と同等の値になる記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 15/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G11C15/04 E ,  G11C15/04 601A ,  G11C15/04 601W ,  H01L27/10 321 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B
Fターム (95件)：
5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN74 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭63-144495
  • 特開昭63-096799
  • 内容アドレス式メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310921   出願人：川崎製鉄株式会社
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審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-144495
  • 特開昭63-096799
  • 内容アドレス式メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310921   出願人：川崎製鉄株式会社
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