特許
J-GLOBAL ID：201303029523100560
ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112512
公開番号（公開出願番号）：特開2013-238776
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】クロム系材料から成る遮光膜に求められる光学特性や化学的特性等の諸特性は担保しつつ、当該遮光膜のドライエッチング速度を高めることを可能とする新規な技術を提供すること。【解決手段】透明基板1上に、ハーフトーン位相シフト膜2と遮光膜3が積層されている。遮光膜3は単層構造若しくは多層構造を有し、少なくとも1層はスズを含有するクロム系材料で成膜されている。また、ハーフトーン位相シフト膜2は、モリブデンケイ素窒化酸化物から成る。スズを含有するクロム系材料からなる層は、遮光性を低下させることなく、酸素を含む塩素系ドライエッチング時のエッチング速度を有意に向上させることができる。このため、係る遮光膜にパターンを転写する際の、レジストパターンやハードマスクパターンへの負荷が軽減され、高い精度でのパターン転写が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ハーフトーン位相シフト膜上に単層構造若しくは多層構造の遮光膜が設けられており、
前記遮光膜はクロム系材料からなる層を少なくとも1層備え、
前記クロム系材料からなる層のうち少なくとも1層はスズを含有するクロム系材料からなる、
ことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/26
, H01L21/30 502P
2H095BA02
, 2H095BA07
, 2H095BB03
, 2H095BB10
, 2H095BB16
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 2H095BC11
, 2H095BC20
