特許
J-GLOBAL ID：201303029595153545

半導体装置

発明者：
黒川 義元

黒川 義元 について

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池田 隆之

池田 隆之 について

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田村 輝

田村 輝 について

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上妻 宗広

上妻 宗広 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-169452
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256914
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。【解決手段】フォトダイオード13、第1のトランジスタ14、及び第2のトランジスタ15を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ18を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第1のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第1のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第2のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フォトセンサと、読み出し制御回路と、を有し、 前記フォトセンサは、フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記読み出し制御回路は、第3のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタのゲートは、前記フォトダイオードの一方の電極と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの少なくとも一方、及び前記第3のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、 前記第3のトランジスタのゲートに印加される電位を入射光に応じて変更し、前記第3のトランジスタの抵抗値を変更することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  G02F 1/135 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374
FI (5件)：
H01L27/14 C ,  H01L27/14 A ,  G02F1/135 ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740
Fターム (47件)：
2H092GA48 ,  2H092GA51 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092JA33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092LA02 ,  2H092LA15 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092NA26 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118DB09 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  5C024AX01 ,  5C024CY42 ,  5C024CY50 ,  5C024GX03 ,  5C024GX15 ,  5C024GY31 ,  5C024HX40 ,  5C024HX44
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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