特許

J-GLOBAL ID：201303029827915137

半導体薄膜の製造方法およびプラズマCVD装置

発明者： 高 秀樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-168386
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033806
出願日： 2011年08月01日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体薄膜の製造方法であって、 4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、 前記活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、 前記分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、 前記プラズマ生成エネルギーは前記供給期間において時間的に変動する、半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 M ,  H01L31/04 V

Fターム (19件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE21 ,  5F045CA13 ,  5F045DP02 ,  5F045EH14 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA16 ,  5F151CA34