特許

J-GLOBAL ID：201303029918282153

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 尾崎 史朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061259
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197220
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】均一性が高く、また、歩留りの高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層の上に、H2Oを含む原料ガスを用いて水蒸気酸化によるALD法により第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に、O2を含む原料ガスを用いて酸素プラズマ酸化によるALD法またはO3を含む原料ガスを用いた酸化によるALD法により第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の上に、ゲート電極を形成する工程と、前記窒化物半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有し、前記窒化物半導体層は、基板の上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層とを含むものであることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、 前記窒化物半導体層の上に、H2Oを含む原料ガスを用いて水蒸気酸化によるALD法により第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜の上に、O2を含む原料ガスを用いて酸素プラズマ酸化によるALD法またはO3を含む原料ガスを用いた酸化によるALD法により第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜の上に、ゲート電極を形成する工程と、 前記窒化物半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、 を有し、 前記窒化物半導体層は、基板の上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層とを含むものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/316 X

Fターム (28件)：

5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-077541   出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-077541   出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社